-
Нановолокна полупроводниковых оксидов как чувствительные материалы для детектирования газообразных продуктов низкотемпературного пиролиза поливинилхлорида
Платонов, В. Б., Румянцева, М. Н., Шаталова, Т. Б., Баранчиков, А. Е., Гаськов, А. М.
Нановолокна полупроводниковых оксидов как чувствительные материалы для детектирования газообразных продуктов низкотемпературного пиролиза поливинилхлорида, [[Текст]], В. Б. Платонов [и др.]
// Журнал прикладной химии .-
2018 .-
Т. 91, вып. 3. - С. 409-416 .-
-
Поверхностно-модифицированный материал CdS/ZnO: однореакторный синтез и механизм формирования в водном растворе
Платонов, В. Б., Румянцева, М. Н., Шаталова, Т. Б., Баранчиков, А. Е., Гаськов, А. М., Ворох, А. С.
Поверхностно-модифицированный материал CdS/ZnO: однореакторный синтез и механизм формирования в водном растворе, [[Текст]], В. Б. Платонов [и др.]
// Журнал прикладной химии .-
2018 .-
Т. 91, вып. 3. - С. 417-425 .-
-
Влияние добавок Ga, In на кислотные центры и хемосорбцию кислорода на поверхности нанокристаллического ZnO
Воробьев, Н. А., Марикуца, А. В., Румянцева, М. Н., Козловский, В. Ф., Филатова, Д. Г., Гаськов, А. М.
Влияние добавок Ga, In на кислотные центры и хемосорбцию кислорода на поверхности нанокристаллического ZnO, [Текст]
ил., табл.
Неорганические материалы, 2016, Т. 52, № 6. - С. 629-634
-
Рост доменов олова на квазидвумерных наночастицах CdTe и CdSe
Лазарева, Е. П., Козловский, В. Ф., Васильев, Р. Б., Гаськов, А. М.
Рост доменов олова на квазидвумерных наночастицах CdTe и CdSe, [[Текст]], Е. П. Лазарева [и др.]
рис.
// Журнал неорганической химии .-
2018 .-
Т. 63, № 5. - С. 611-615 .-
-
Химическая модификация нанокристаллического диоксида олова для селективных газовых сенсоров
Кривецкий, В. В., Румянцева, М. Н., Гаськов, А. М.
Химическая модификация нанокристаллического диоксида олова для селективных газовых сенсоров, [Текст]
ил.
Успехи химии, 2014, Т. 82, № 10. - С. 917-941
-
Импульсное лазерное осаждение проводящих тонких пленок оксидов индия-олова
Петухов, И. А., Шатохин, А. Н., Путилин, Ф. П., Румянцева, М. Н., Козловский, В. Ф., Гаськов, А. М., Зуев, Д. А., Лотин, А. А., Новодворский, О. А., Храмова, О. Д.
Импульсное лазерное осаждение проводящих тонких пленок оксидов индия-олова, [Текст]
ил.
Неорганические материалы, 2012, Т. 48, № 10. - С. 1147-1153
-
Детектирование фосфорорганических соединений полупроводниковыми газовыми сенсорами с предварительным адсорбционным концентрированием
Румянцева, М. Н., Логвин, Л. А., Смирнов, А. В., Кривецкий, В. В., Иванова, И. И., Гаськов, А. М.
Детектирование фосфорорганических соединений полупроводниковыми газовыми сенсорами с предварительным адсорбционным концентрированием, [Текст]
ил., табл.
Журнал прикладной химии, 2013, Т. 86, № 11. - С. 1730-1739
-
Влияние квантовых точек селенида кадмия на проводимость и фотопроводимость нанокристаллического оксида индия
Ильин, А. С., Фантина, Н. П., Мартышов, М. Н., Форш, П. А. , Чижов, А. С., Румянцева, М. Н., Гаськов, А. М., Кашкаров, П. К.
Влияние квантовых точек селенида кадмия на проводимость и фотопроводимость нанокристаллического оксида индия, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 5. - С. 619-623 .-
Ильин_влияние
-
Исследование парообразования в системах нанокристаллических и микрокристаллических оксидов Fe[2]O[3]-SnO[2] и NiO-SnO[2] методом высокотемпературной масс-спектроскопии
Грибченкова, Н. А., Бадалян, С. М., Каюмова, Д. Б., Гаськов, А. М., Алиханян, А. С.
Исследование парообразования в системах нанокристаллических и микрокристаллических оксидов Fe[2]O[3]-SnO[2] и NiO-SnO[2] методом высокотемпературной масс-спектроскопии, [Текст]
ил., табл.
Неорганические материалы, 2012, Т. 48, № 1. - С. 46-50
-
Каталитическое окисление несимметричного диметилгидразина на Pt/SiO[2]
Смирнов, А. В., Пантелеев, М. А., Кривецкий, В. В., Гаськов, А. М.
Каталитическое окисление несимметричного диметилгидразина на Pt/SiO[2], [Текст]
ил., табл.
Журнал прикладной химии, 2016, Т. 89, Вып.7. - С. 916-926
-
Определение сурьмы и олова в вискерах диоксида олова методом масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой
Филатова, Д. Г., Жукова, А. А., Подолько, Е. В., Румянцева, М. Н., Гаськов, А. М., Большов, М. А.
Определение сурьмы и олова в вискерах диоксида олова методом масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой, [Текст]
Журнал аналитической химии, 2012, Т. 67, № 12. - С. 1063-1067
-
Влияние сурьмы на взаимодействие нанокристаллического SnO[2] с кислородом
Петухов, И. А., Жукова, А. А., Румянцева, М. Н., Мешков, Л. Л., Гаськов, А. М.
Влияние сурьмы на взаимодействие нанокристаллического SnO[2] с кислородом, [Текст]
ил., табл.
Неорганические материалы, 2016, Т. 52, № 1.- С. 3-8
-
Синтез квазидвумерных коллоидных наночастиц селенида кадмия и формирование сульфидного монослоя на их поверхности
Соколикова, М. С., Васильев, Р. Б., Гаськов, А. М.
Синтез квазидвумерных коллоидных наночастиц селенида кадмия и формирование сульфидного монослоя на их поверхности, [Текст]
ил.
Журнал неорганической химии, 2014, Т. 59, № 5. - С. 577-582
-
Влияние La(III) на реакционную способность и сенсорные свойства нанокристаллического SnO[2]
Кривецкий, В. В., Рожик, Р. В., Румянцева, М. Н., Мордвинова, Н. Е., Смирнов, А. В., Гаршев, А. В., Гаськов, А. М.
Влияние La(III) на реакционную способность и сенсорные свойства нанокристаллического SnO[2], [Текст]
ил., табл.
Журнал неорганической химии, 2016, Т. 61, № 11. - С. 1421-1426
-
Детектирование угарного газа во влажном воздухе с использованием двухслойных структур на основе полупроводниковых оксидов металлов и силикалита
Гулевич, Г., Марикуца, А. В., Румянцева, М. Н., Фабричный, П. Б., Шаталова, Т. Б., Гаськов, А. М.
Детектирование угарного газа во влажном воздухе с использованием двухслойных структур на основе полупроводниковых оксидов металлов и силикалита, [[Текст]], Г. Гулевич [и др.]
// Журнал прикладной химии .-
2018 .-
Т. 91, вып. 10. - С. 1480-1490 .-
-
Нанокомпозиты на основе оксидов металлов как материалы для газовых сенсоров
Румянцева, М. Н., Коваленко, В. В., Гаськов, А. М., Панье, Т.
Нанокомпозиты на основе оксидов металлов как материалы для газовых сенсоров, [Текст]
Ил.9
