Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А{3}В{5}, сильно легированных железом
  Данилов, Ю. А., Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Вихрова, О. В., Крюков, Р. Н., Антонов, И. Н., Алафердов, А. В., Кунькова, З. Э., Темирязева, М. П., Темирязев, А. Г.
  
  Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А{3}В{5}, сильно легированных железом, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 11. - С. 2137-2140 .- Данилов_исследование
• Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа
  Темирязев, А. Г., Темирязева, М. П., Здоровейщев, А. В. , Вихрова, О. В., Дорохин, М. В., Демина, П. Б., Кудрин, А. В.
  
  Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 11. - С. 2158-2165 .- Темирязев_формирование
• Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb
  Дикарева, Н. В., Дикарёва, Н. В., Алёшкин, В. Я., Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Некоркин, С. М., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А.
  
  Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 10. - С. 1410-1413 Дикарева_двухчастотный
• Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением
  Кунькова, З. Э., Ганьшина, Е. А., Голик, Л. Л., Данилов, Ю. А., Кудрин, А. В. , Ковалев, В. И., Зыков, Г. С., Маркин, Ю. В., Вихрова, О. В., Звонков, Б. Н.
  
  Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 5. - С. 940-946 .- Кунькова_фазовое
• Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A{3}B{5} импульсным лазерным отжигом
  Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Нежданов, А. В., Павлов, С. А., Парафин, А. Е., Пашенькин, И. Ю.
  
  Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A{3}B{5} импульсным лазерным отжигом, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 11. - С. 2130-2134 .- Вихрова_модифицирование
• Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения
  Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Кудрин, А.В., Калентьева, И. Л., Ларионова, Е. А., Ковальский, В. А., Солтанович, О. А.
  
  Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 351-358 Звонков_исследование
• Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs : Cr/GaAs
  Дорохин, М. В., Дёмина, П. Б., Демина, П. Б., Данилов, Ю. А., Вихрова, О. В., Кузнецов, Ю. М., Ведь, М. В., Iikawa, F., Balanta, M. A. G.
  
  Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs : Cr/GaAs , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1139-1144 Дорохин_фотолюминесценция
• Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
  Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Демина, П. Б., Дроздов, М. Н., Здоровейщев, А. В. , Крюков, Р. Н., Нежданов, А. В., Антонов, И. Н.
  
  Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 801-806 Звонков_формирование
• Влияние ”объема“ активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку
  Некоркин, С. М., Дикарёва, Н. В., Звонков, Б. Н. , Байдусь, Н. В., Дикарева, Н. В., Вихрова, О. В., Афоненко, А. А., Ушаков, Д. В.
  
  Влияние ”объема“ активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 75-78 Некоркин_влияние
• Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
  Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Калентьева, И. Л., Нежданов, А. В., Парафин, А. Е., Хомицкий, Д. В., Антонов, И. Н.
  
  Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1336-1343 Вихрова_импульсное
• Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
  Данилов, Ю. А., Ведь, М. В., Вихрова, О. В., Дроздов, М. Н., Звонков, Б. Н. , Ковальский, В. А., Крюков, Р. Н., Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Юнин, П. А.
  
  Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 868-872 Данилов_углеродные
• Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с бета-слоем Mn
  Рыков, А. В., Дорохин, М.В., Малышева, Е. И., Демина, П. Б., Вихрова, О. В., Здоровейщев, А. В.
  
  Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с бета-слоем Mn , [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 1. - С. 3-8 Рыков_влияние
• Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Здоровейщев, А. В. , Данилов, Ю. А., Кудрин, А. В.
  
  Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 204-207 .- Калентьева_арсенид
• Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
  Звонков, Б. Н. , Байдусь, Н. В., Некоркин, С. М., Вихрова, О. В., Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Котомина, В. Е.
  
  Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1443-1446 Звонков_оптический
• Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Дорохин, М. В., Павлов, Д. А., Антонов, И. Н., Дроздов, М. Н., Усов, Ю. В.
  
  Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1468-1472 Калентьева_особенности
• Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур
  Планкина, С. М., Вихрова, О. В., Звонков, Б. Н. , Нежданов, А. В., Пашенькин, И. Ю.
  
  Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 11. - С. 1510-1513 .- Планкина_применение
• Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Антонов, И. Н.
  
  Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1286-1290 Калентьева_влияние
• Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As импульсным лазерным отжигом
  Данилов, Ю. А., Boudinov, H., Вихрова, О. В., Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Павлов, С. А., Парафин, А. Е., Питиримова, Е. А., Якубов, Р. Р.
  
  Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As импульсным лазерным отжигом, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 11. - С. 2140-2144 .- Данилов_формирование
• Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Вихрова, О. В., Некоркин, С. М., Звонков, Б. Н.
  
  Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 596-599 .- Алешкин_стимулированное
• Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах
  Здоровейщев, А. В. , Дорохин, М. В., Вихрова, О. В., Демина, П. Б., Кудрин, А. В. , Темирязев, А. Г., Темирязева, М. П.
  
  Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 11. - С. 2186-2189 .- Здоровейщев_свойства