-
Реакционная способность промежуточных продуктов импульсного фотолиза йодфенола
Порхун, В. И., Аршинов, А. В., Васильева, Г. Ю., Аввакумов, В. Е.
Реакционная способность промежуточных продуктов импульсного фотолиза йодфенола, [[Текст]], Порхун В. И. [и др.]
// Журнал физической химии .-
2019 .-
Т. 93, № 7. - С. 1118-1120 .-
-
Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон
Васильев, Ю. Б., Воробьёв, Л. Е., Михайлов, Н. Н. , Васильева, Г. Ю., Иванов, Ю. Л., Андрианов, А. В., Воробьев, Л. Е., Фирсов, Д. А., Антонов, А. В., Иконников, А. В.
Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 7. - С. 932-936 .-
Васильев_терагерцовое
-
Особенности комплексообразования семихиноновых радикалов с ионами меди
Васильева, Г. Ю., Юдина, А. С., Перминов, В. Н., Порхун, В. И.
Особенности комплексообразования семихиноновых радикалов с ионами меди, [Текст]
ил.
Журнал общей химии, 2015, Т. 85, № 1. - С. 34-38
-
Реакции флавосемихиноновых радикалов в присутствии ионов металлов
Васильева, Г. Ю., Юдина, А. С., Перминов, В. Н., Порхун, В. И.
Реакции флавосемихиноновых радикалов в присутствии ионов металлов, [Текст]
ил.
Журнал общей химии, 2015, Т. 85, № 1. - С. 39-42
-
Изготовление p-n-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения
Васильева, Г. Ю., Васильев, Ю. Б., Новиков, С. Н., Данилов, С. Н., Ганичев, С. Д.
Изготовление p-n-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 949-953
Васильева_изготовление
