Усиление терагерцового излучения в плазмонной n-i-p-i-структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда
Полищук, О. В., Фатеев, Д. В., Попов, В. В.
Усиление терагерцового излучения в плазмонной n-i-p-i-структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1514-1519
Полищук_усиление