Влияние радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами при температуре 83K, на характеристики кремниевых фотоэлектрических структур
Богатов, Н. М., Григорьян, Л. Р., Коваленко, А. И., Коваленко, М. С., Колоколов, Ф. А., Лунин, Л. С.
Влияние радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами при температуре 83K, на характеристики кремниевых фотоэлектрических структур, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 144-148
Богатов_влияние
