Поиск

Закономерности формирования тонких пленок In2О3 методом термического окисления индия

Авторы: Лугин, В. Г. Жарский, И. М.
Местонахождение Краткая информация
Маркер записи n 22 7 4500
Контрольный номер RU/IS/BASE/376404797
Дата корректировки 9:55:00 26 апреля 2025 г.
Служба первич. каталог. BY-HM0026
БГТУ
rus
BY
546.814+539.23
41-02
Лугин, В. Г.
Закономерности формирования тонких пленок In2О3 методом термического окисления индия
Рис.5
индий
полупроводниковые материалы
термическое окисление
тонкие пленки индия
химия
Жарский, И. М.
Труды Белорусского государственного технологического университета. Серия 3. Химия и технология неорганических веществ
2001
Вып. 9. - С. 53-60