Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/608638278 |
Дата корректировки | 8:08:50 8 февраля 2023 г. |
Служба первич. каталог. |
Яновская БГТУ БГТУ |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 539.21 |
Автор | Ташлыков, Игорь Серафимович |
Полное имя | И. С. Ташлыков |
Повреждение кристаллов арсенида галлия при различной мощности дозы внедрения ионов Текст |
|
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 2 назв. |
арсенид галлия полупроводники дефектообразование полупроводников радиационные дефекты имплантация ионов резерфордовское обратное рассеяние |
|
Другие авторы | Картер, Г. |
Полное имя | Г. Картер |
Нобс, М. М. Нобс |
|
Организация/ юрисдикция | Белорусский технологический институт им. С. М. Кирова |
Другие уровни | Кафедра физики |
Салфордский университет, Великобритания | |
Взаимодействие атомных частиц с твердым телом : материалы VII Всесоюзной конференции Минск : Минский радиотехнический институт, 1984 Ч. II. - С. 115-118 |
|
Тип документа | b |