Поиск

Повреждение кристаллов арсенида галлия при различной мощности дозы внедрения ионов

Авторы: Ташлыков, Игорь Серафимович Картер, Г. Нобс, М.
Местонахождение Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/608638278
Дата корректировки 8:08:50 8 февраля 2023 г.
Служба первич. каталог. Яновская
БГТУ
БГТУ
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 539.21
Автор Ташлыков, Игорь Серафимович
Полное имя И. С. Ташлыков
Повреждение кристаллов арсенида галлия при различной мощности дозы внедрения ионов
Текст
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 2 назв.
арсенид галлия
полупроводники
дефектообразование полупроводников
радиационные дефекты
имплантация ионов
резерфордовское обратное рассеяние
Другие авторы Картер, Г.
Полное имя Г. Картер
Нобс, М.
М. Нобс
Организация/ юрисдикция Белорусский технологический институт им. С. М. Кирова
Другие уровни Кафедра физики
Салфордский университет, Великобритания
Взаимодействие атомных частиц с твердым телом : материалы VII Всесоюзной конференции
Минск : Минский радиотехнический институт, 1984
Ч. II. - С. 115-118
Тип документа b