Разработка научных основ и оптимизация режимов формирования методом ионного наслаивания фоточувствительных функциональных пленочных и матрично-пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Zn, Sn, осажденных на поверхности профилированных матри
Получение фотоактивируемых матричных тонкопленочных систем на основе оксидных и халькогенидных полупроводников с использованием метода ионного наслаивания по этапу 2019 г.: Разработка научных основ и оптимизация режимов формирования методом ионного наслаивания фоточувствительных функциональных пленочных и матрично-пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Zn, Sn, осажденных на поверхности профилированных матричных структур и планарных подложек, [Текст], отчет о НИР (промежуточный), Министерство образования Республики Беларусь, Учреждение образования "Белорусский государственный технологический университет" (БГТУ) ; рук. И. М. Жарский ; исполн.: И. М. Жарский, Н. В. Богомазова, Д. В. Жигулин, Т. В. Галковский
Минск :
2019 .-
61, [4] с. .-
ил., табл.
ГПНИ "7. Механика, металлургия, диагностика в машиностроении", подпрограмма "Гальванотехника" (задание 4.1.23) .-
