Поиск

Фотолюминесценция наноструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge, сформированных на Si при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков

Авторы: Живулько, В. Д. Гацак, А. В. Бородавченко, О. М. Зиновьев, В. А. Смагина, Ж. В. Зиновьева, А. Ф.
Местонахождение Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/758383079
Дата корректировки 14:03:38 12 января 2024 г.
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка издания rus
Автор Живулько, В. Д.
Фотолюминесценция наноструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge, сформированных на Si при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков
Текст
Место издания Минск
Издательство Беларуская навука
Дата издания оригинала 2022
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 4 назв.
Ключевые слова полупроводниковые гетероструктуры
гетероструктуры
квантовые точки
фотолюминесценция наноструктур
наноструктуры
эпитаксия
ионно-молекулярные пучки
германий
кремний
Другие авторы Гацак, А. В.
Бородавченко, О. М.
Зиновьев, В. А.
Смагина, Ж. В.
Зиновьева, А. Ф.
Организация/ юрисдикция Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН
Молодежь в науке - 2022. Аграрные, биологические, гуманитарные науки и искусства, медицинские, физико-математические, физико-технические, химия и науки о Земле
Минск : Беларуская навука, 2022
С. 477-480
RU/IS/BASE/752315497
978-985-08-2926-9
Тип документа b