| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/684340877 |
| Дата корректировки | 9:30:35 18 ноября 2021 г. |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | Свежинцева |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.382 |
|
Оджаев, В. Б. В. Б. Оджаев |
|
|
Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора Текст |
|
| Место издания | Минск |
| Издательство | БНТУ |
| Дата издания оригинала | 2020 |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 2 назв. |
|
биполярные транзисторы рекомбинационные центры температурные зависимости легирующая примесь параметры легированных областей |
|
|
Петлицкий, А. Н. А. Н. Петлицкий Просолович, В. С. В. С. Просолович Филипеня, В. А. В. А. Филипеня Шестовский, Д. В. Д. В. Шестовский Черный, В. В. В. В. Черный Явид, В. Ю. В. Ю. Явид Янковский, Ю. Н. Ю. Н. Янковский |
|
|
Белорусский государственный университет Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» Белорусский национальный технический университет |
|
|
Приборостроение - 2020 Минск : БНТУ, 2020 С. 323-324 RU/IS/BASE/672143416 978-985-583-587-6 |
|
| Тип документа | b |
