Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/636653004 |
Дата корректировки | 11:51:56 5 марта 2020 г. |
Вид содержания и средства доступа | 2-60 |
Служба первич. каталог. |
Голубева БГТУ |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.382 |
Полочн. индекс | 537 |
Авторский знак | Э45 |
Ляшенко, Василий Иванович В. И. Ляшенко |
|
Электронные явления на поверхности полупроводников Текст Академия наук УССР, Институт полупроводников ; под общ. ред. д-ра физ.-мат. наук В. И. Ляшенко |
|
Место издания | Киев |
Издательство | Наукова думка |
Дата издания оригинала | 1968 |
Объем | 396, [4] с. |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Аннотация | Книга представляет собой обзор современного состояния исследований по физике поверхности полупроводников. Рассмотрены вопросы теории поверхности полупроводников, методы приготовления реальной и атомарно чистой поверхностей, методы и результаты исследования электрических характеристик поверхности, неравновесные процессы на поверхности и в приповерхностном слое (рекомбинация, захват и прилипание носителей тока). Изложены влияние электрического состояния поверхности полупроводника на явления адсорбции и катализа, а также характеристики контакта металл — полупроводник. Рассчитана на научных и инженерно-технических работников, занимающихся физикой, физико-химией и техникой полупроводников и полупроводниковых приборов, а также на студентов физических факультетов. |
захват носителей тока поверхности полупроводников приповерхностный слой рекомбинация носителей тока прилипание носителей тока полупроводники металлы полупроводниковые приборы явления адсорбции катализ |
|
Другие авторы | Литовченко, В. Г. |
Степко, И. И. Стриха, В. И. Ляшенко, Л. В. |
|
Организация/ юрисдикция | Академия наук УССР |
Институт полупроводников |