Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/627564973 |
Дата корректировки | 16:04:18 21 ноября 2019 г. |
Служба первич. каталог. | Яновская |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 544.654.2:621.315.592.9 |
Автор | Лозовенко, А. А. |
Полное имя | А. А. Лозовенко |
Влияние электрических режимов электроосаждения антимонида индия в пористые матрицы АОА на состав и микроструктуру образуемых нанопроводов Текст |
|
Место издания | Минск |
Издательство | [Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова] |
Дата издания оригинала | 2018 |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
Ключевые слова | наноматериалы |
нанопровода полупроводники антимонид индия электрохимическое осаждение электроосаждение |
|
Другие авторы | Позняк, А. А. |
Полное имя | А. А. Позняк |
Плиговка, А. Н. А. Н. Плиговка Горох, Г. Г. Г. Г. Горох |
|
Организация/ юрисдикция | Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники |
Наноструктуры в конденсированных средах Минск : [Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова], 2018 С. 111-118 RU/IS/BASE/619797136 978-985-7138-13-5 |
|
Тип документа | b |