| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/615294824 |
| Дата корректировки | 12:51:42 19 января 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шайковская |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.23:546.814 |
| Автор | Галковский, Т. В. |
| Полное имя | Т. В. Галковский |
|
Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом Silar Текст ил. |
|
| Место издания | Минск |
| Издательство | БГТУ |
| Дата издания оригинала | 2019 |
| Библиография | Библиогр.: 2 назв. |
| Ключевые слова | пленочные структуры |
|
сульфиды олова метод Silar тонкие пленки фотовольтаические материалы метод ионного наслаивания |
|
| Другие авторы | Богомазова, Н. В. |
| Полное имя | Н. В. Богомазова |
|
Жарский, Иван Михайлович И. М. Жарский |
|
| Организация/ юрисдикция | Белорусский государственный технологический университет |
|
Минск : БГТУ, 2019 С. 301-304 Современные электрохимические технологии и оборудование - 2019 RU/IS/BASE/611833540 978-985-530-767-0 |
|
| Тип документа | b |
