| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/543666109 |
| Дата корректировки | 7:52:08 27 марта 2017 г. |
| Вид содержания и средства доступа | 1-07 |
| Служба первич. каталог. |
Багуцкая БГТУ |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.382.2.004 |
| Полочн. индекс | 621.38 |
| Авторский знак | Н 84 |
|
Носов, Юрий Романович Ю. Р. Носов |
|
|
Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме Текст |
|
| Место издания | Москва |
| Издательство | Наука, Главная редакция физико-математической литературы |
| Дата издания оригинала | 1968 |
| Объем | 263 с. |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Физика полупроводников и полупроводниковых приборов | |
| Аннотация | Излагается теория переходных процессов в полупроводниковых диодах с p-n-переходом, работающих в режиме переключения, а также описаны основные экспериментальные результаты по рассматриваемой проблеме. Наиболее подробно проанализирована модель плоскостного диода с полубесконечной базовой областью, так как получающиеся в этом случае основные теоретические формулы имеют наиболее простой и наглядный вид и в то же время качественно справедливы и для диодов других конструкций. Кроме того, рассмотрены плоскостные диоды с малой толщиной базовой области, а также диоды с малой площадь. выпрямляющего контакта и диоды с тормозящим полем в базе. |
|
основы электроники переключения в проводнике уравнения диффузии переходные процессы цепи диода переключение диода малосигнальные характеристики экспериментальные результаты плоскостной диод тонкая база стационарное распределение переключение без сопротивления переключение в цепи инерционность диода нестационарные режимы идеализированная модель точечный диод встроенное поле база диода спад тока фаза восстановления условия рекомбинации |
|
| Тип документа | m |
