Поиск

Фотолюминесценция сапфира, облученного электронами и ионами низких энергий

Авторы: Зыкова, Е. Ю. Озерова, К. Е. Татаринцев, А. А. Туркин, А. Н.
Краткая информация
Маркер записи n 22 3 4500
Контрольный номер opsp22_to130_no9_ss1372_ad1
Дата корректировки 13:53:37 26 апреля 2025 г.
Кодируемые данные 221114s2022||||RU|||||||||||#||||# rus0|
10. 21883/OS. 2022. 09. 53297. 3397-22
DOI
Системный контрольный номер RUMARS-opsp22_to130_no9_ss1372_ad1
AR-MARS
Служба первич. каталог. Фундаментальная библиотека Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого
МАРС
BY-HM0026
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
Индекс УДК 535.37
Индекс ББК 22.345
Таблицы для массовых библиотек
Зыкова, Е. Ю.
Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
070
Фотолюминесценция сапфира, облученного электронами и ионами низких энергий
Е. Ю. Зыкова, К. Е. Озерова, А. А.. Татаринцев, А. Н. Туркин
Объем 1 файл (331 Кб)
Текст
электронный
Примечание Загл. с титул. экрана
Библиография Библиогр.: с. 1377 (23 назв.)
Аннотация Для интерпретации процесса зарядки монокристаллического сапфира и влияния на этот процесс радиационно-стимулированных дефектов проведены фотолюминесцентные исследования исходного монокристаллического сапфира, а также сапфира, предварительно облученного ионами и электронами низких энергий. Спектры фотолюминесценции получены с использованием конфокального микроскопа с длиной волны возбуждения 445 nm и неконфокальным методом на длине волны 355 nm. Полученные результаты для всех образцов показали линии, связанные с собственными дефектами, а также c примесными дефектами. Предварительное ионное облучение приводит к разупорядочению приповерхностной области образца, что проявляется в значительном увеличении интенсивности фотолюминесценции. Предварительное электронное облучение может приводить к изменению зарядового состояния изначально существующих в кристалле дефектов.
Примеч. о целев. назн. Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Физика
AR-MARS
Люминесценция
AR-MARS
Ключевые слова сапфиры
фотолюминесценция
облучение электронами
облучение ионами
ионы низких энергий
радиационно-стимулированные дефекты
Озерова, К. Е.
Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
070
Татаринцев, А. А.
Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
070
Туркин, А. Н.
Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
070
ISSN 0030-4034
Название источника Оптика и спектроскопия
Место и дата издания 2022
Прочая информация Т. 130, № 9. - С. 1372-1377
RU
19013582
20221114
RCR
RU
19013582
20221114
RU
AR-MARS
20221115
RCR
RU
AR-MARS
20221115
https://elibrary.ru/item.asp?id=49705279
Тип документа b
code
year
to
no
ss
ad
opsp
2022
130
9
1372
1
13761
Спектроскопия конденсированного состояния
drc cu
uabc
html