| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695305414 |
| Дата корректировки | 12:23:34 12 января 2022 г. |
| 10.21883/OS.2019.09.48194.324-18 | |
| Служба первич. каталог. | Феллер |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 535.33 |
| Сардарлы, Р. М. | |
|
Тип оптических переходов на краю фундаментального поглощения кристаллов TlGaSe[2] и TInS[2], подвергнутых у-облучению Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Изучено влияние у-облучения на оптические свойства слоистых кристаллов TlGaSe[2] и TlInS[2] в диапазоне длин волн 400--1100 nm при 300 K. Из анализа спектров оптического поглощения определены энергии прямых и непрямых оптических межзонных переходов до и после у-облучения. Показано, что по мере накопления дозы у-облучения в области 0--25 Мrad монокристаллами TlGaSe[2] и TlInS[2] наблюдается рост энергий прямых и непрямых разрешенных оптических переходов от значений E[gd] = 2.06 eV и E[gi] = 1.90 eV при D = 0Мrad, до E[gd] = 2.11 eV и E[gi] = 1.98 eV при D = 25 Мrad для кристаллов TlGaSe[2] и E[gd] = 2.32 eV и E[gi] = 2.27 eV при D = 0Мrad до E[gd] = 2.35 и E[gi] = 2.32 eV при D = 25Мrad для кристаллов TlInS[2]. Наблюдается уменьшение коэффициента пропускания при дозах от 0 до 5 Мrad и дальнейший рост коэффициента пропускания при дозе облучения D = 25 Мrad. |
|
слоистые кристаллы оптическое поглощение у-облучение тип оптических переходов оптические переходы поглощение кристаллов кристаллы |
|
|
Салманов, Ф. Т. Алиева, Н. А. |
|
|
Оптика и спектроскопия 2019 Т. 127, вып. 3. - С. 420-424 |
|
| Имя макрообъекта | Сардарлы_тип оптических |
| Тип документа | b |
