| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688121814 |
| Дата корректировки | 12:25:38 26 апреля 2025 г. |
| 10.21883/FTP.2018.06.45929.8717 | |
| Служба первич. каталог. | BY-HM0026 |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Александров, О. В. | |
|
Модель накопления зарядов в n- и p-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора Электронный ресурс |
|
| Model of charges accumulation in nand p-MOS-transistors at the tunnel injections of electrons from a gate | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 33 назв. |
| Аннотация | Разработана количественная модель накопления зарядов в подзатворном диэлектрике при туннельной инжекции электронов из затвора по механизму Фаулера-Нордгейма. В модели учитывается захват электронов и дырок на безводородные и водородосодержащие ловушки, а также генерация поверхностных состояний при взаимодействии дырок с водородосодержащими центрами. На основе модели проанализированы экспериментальные зависимости сдвигов порогового напряжения и напряжения на затворе n- и p-канальных МОП-транзисторов от инжектируемого заряда в режиме постоянного тока. |
| Ключевые слова | туннельная инжекция электронов |
|
МОП-транзисторы механизм Фаулера-Нордгейма модель накопления зарядов ловушки водородосодержащие |
|
| Мокрушина, С. А. | |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 6. - С. 637-642 |
|
| Имя макрообъекта | Александров_модель |
| Тип документа | b |
