| Индекс УДК | 535.33 |
|
Структурные характеристики и фотолюминесценция тонких пленок твердых растворов Cu(In[1–х]Gaх)(S[у]Se[1–у])[2] О. М. Бородавченко, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый [и др.] |
|
| Аннотация | Исследованы фазовый состав, структурные и оптические характеристики тонких пленок твердых растворов Cu (In[1–х]Gaх) (S[у]Se[1–у]) [2] со структурой халькопирита. По данным рентгеноструктурного анализа определены параметры элементарной ячейки a - 5. 720 A, c - 11. 52 A и элементный состав х = Ga/ (Ga+In) - 0. 14 и у = S/ (S+Se) - 0. 11 тонких пленок Cu (In[1–х]Gaх) (S[у]Se[1–у]) [2]. Из спектров фотолюминесценции и возбуждения люминесценции при температуре - 4. 2 К определена оптическая ширина запрещенной зоны твердых растворов Cu (In[1–х]Gaх) (S[у]Se[1–у]) [2] Eg - 1. 122 эВ. Обсуждается механизм излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в тонких пленках твердых растворов Cu (In[1–х]Gaх) (S[у]Se[1–у]) [2]. |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2021 |
| Прочая информация | Т. 88, № 1. - С. 34-40 |
