| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Температурная зависимость атомной структуры и электрической активности дефектов в термоэлектрике ZnSb, слабо легированном медью Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Решается задача выбора модели для описания температурной зависимости микроструктуры дефектов в эффективном термоэлектрике ZnSb c 0.1 ат%Cu. Анализируются температурные зависимости концентрации и подвижности для термоцикла 300-700-300K (термоцикл I) с учетом особенностей кристаллической структуры и ковалентного характера химической связи в ZnSb. Базовой дефектной структурой (температуры T = 560-605K) является состояние, когда все атомы Cu поровну распределены между узлами обеих подрешеток, являясь акцепторами, собственных дефектов акцепторного и донорного типа значительно меньше. Их действие становится заметным, когда температура выходит за рамки вышеупомянутого диапазона. При T > 605K появляются дополнительные акцепторы - антиструктурный цинк Zn[Sb]; при охлаждении ниже 560K образуются димеры Cu[2], электрическая активность примеси понижается. Распад димеров при нагревании вызывает увеличение концентрации с температурой вплоть до насыщения в указанном выше диапазоне. Были проведены дополнительные термоциклы II-VIII, обнаруженные изменения в температурных зависимостях концентрации дырок и подвижности обсуждаются в рамках упомянутой модели. |
| Ключевые слова | температурные зависимости |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 9. - С. 1168-1175 |
|
| Имя макрообъекта | Прокофьева_температурная |
