| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/683196816 |
| Дата корректировки | 9:10:34 25 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2018.03.45552.275 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Антипов, В. В. | |
|
Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв.: |
| Аннотация | Методом испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме впервые выращен эпитаксиальный кубический селенид кадмия толщиной 350 nm на кремнии. Установлено, что оптимальная температура подложки в данном методе составляет 590°C, испарителя - 660°C, время роста - 2s. Для того чтобы избежать стравливания кремния селеном с образованием аморфного SiSe[2], на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~ 100 nm. Порошковая дифрактограмма и рамановский спектр однозначно соответствуют кубическому кристаллу селенида кадмия. Эллипсометрический, рамановский и электронографический анализ показали высокое структурное совершенство слоя селенида кадмия и отсутствие поликристаллической фазы. |
| Ключевые слова | пленки |
|
селенид кадмия кремний кремниевые подложки карбид кремния буферные слои рост пленок эпитаксиальный рост пленок |
|
| Другие авторы | Кукушкин, С. А. |
|
Осипов, А. В. Рубец, В. П. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 60, вып. 3. - С. 499-504 |
| Имя макрообъекта | Антипов_эпитаксиальный рост |
| Тип документа | b |
