| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние легирования Gd и Er и электрического поля на фотопроводимость монокристаллов p-GaSe А. Ш. Абдинов, Р. Ф. Бабаева |
|
| Аннотация | В диапазоне Т ~ 77-300 К и напряженностей электрического поля 2 · 10{1} < Е < 2. 5 · 10{3} В/см исследована фотопроводимость монокристаллов p-GaSe, легированных редкоземельными элементами (РЗЭ) - гадолинием и эрбием, с содержанием введенной примеси 10{-5} < N[РЗЭ] < 10{-1} ат. %. Установлено, что величина и характеристики фотопроводимости монокристаллов p-GaSe не зависят от химической природы введенной примеси, а с изменением N[РЗЭ] немонотонно меняются. Полученные результаты при N[РЗЭ] > 10{-2} ат. % во всей рассматриваемой области температур удовлетворительно подчиняются теории фотопроводимости пространственно однородных кристаллических полупроводников, а при N[РЗЭ] < 10{-2} ат. % в области Т < 250 К для их объяснения необходимо учитывать также наличие случайных макроскопических дефектов в исследуемом образце. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2021 |
| Прочая информация | Т. 57, № 2. - С. 125-129 |
|
https://sciencejournals.ru/list-issues/neorgmat/ |
