| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676478694 |
| Дата корректировки | 12:12:54 26 апреля 2025 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.10.49937.9314 |
| Служба первич. каталог. | BY-HM0026 |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Агеева, Н. Н. | |
|
”Брэгговская“ решетка заселенности электронов, наводимая в гетероструктуре Al[x]Ga[1-x]As-GaAs-Al[x]Ga[1-x]As ее собственным стимулированным пикосекундным излучением Электронный ресурс |
|
| The ”Bragg“ electron population lattice induced in the Al[x]Ga[1-x]As-GaAs-Al[x]Ga[1-x]As heterostructure by its own stimulated picosecond emission | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 28 назв. |
| Аннотация | Показано, что модуляция спектра стимулированного пикосекундного излучения, генерируемого в волноводной гетероструктуре Al[x]Ga[1-x]As-GaAs-Al[x]Ga[1-x]As при оптической накачке GaAs, и еще ряд предыдущих экспериментальных результатов становятся объяснимыми в предположении об образовании излучением симметричной модификации "брэгговской" решетки заселенности неравновесных электронов в GaAs. Предложены граничные условия, определяющие конструкцию решетки. Чтобы удовлетворять им, решетка может меняться только дискретно. Последнее согласуется с изменением модуляции спектра поглощения света в GaAs, отображающей модуляцию обеднения заселенности, создаваемую излучением. Наведение решетки, или выжигание пространственных дыр, является одной из причин многомодовости излучения, конкуренции и переключения его мод, модуляции спектра усиления (выжигания частотных дыр). Аналогичное возможно и в полупроводниковом лазере, как в волноводе. |
| Ключевые слова | "брэгговская решетка" |
|
брэгговская решетка пикосекундное стимулированное излучение заселенность электронов модуляция спектра волноводные гетероструктуры конкуренция мод выжигание пространственных дыр гетероструктуры |
|
|
Броневой, И. Л. Забегаев, Д. Н. Кривоносов, А. Н. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 10. - С. 1018-1028 |
| Имя макрообъекта | Агеева_”брэгговская |
| Тип документа | b |
