| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676117225 |
| Дата корректировки | 12:12:01 26 апреля 2025 г. |
| 10.21883/FTP.2020.08.49647.9402 | |
| Служба первич. каталог. | BY-HM0026 |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Астрова, Е. В. | |
|
Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC Электронный ресурс |
|
| Interaction of fluorocarbon with silicon monoxide and processes of SiC nanowires formation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | При изучении процессов термической карбонизации моноокиси кремния в присутствии нестехиометрического монофторида углерода было обнаружено, что повышение температуры отжига смесей порошков SiO и CF[x] в квазизамкнутом объеме до 1000°С и выше ведет к выделению нитевидных нанокристаллов SiC. Проведенные исследования показали, что параллельно с известным процессом кристаллизации нанонитей SiC в результате взаимодействия паров SiO с угарным газом в их образовании принимает участие неописанное ранее взаимодействие СО с газофазным дифторидом кремния SiF[2]. При температурах ниже 1200°С эта реакция оказывается доминирующей, давая наибольший вклад в выход нанонитей SiC. |
| Нащёкин, А. В. | |
| Ключевые слова | нанонити карбида кремния |
|
карбид кремния вискеры нанокристаллы моноокись кремния фторуглероды газофазный дифторид кремния |
|
|
Улин, В. П. Парфеньева, А. В. Нащекин, А. В. Неведомский, В. Н. Байдакова, М. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 8. - С. 753-765 |
|
| Имя макрообъекта | Астрова_взаимодействие |
