| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675525534 |
| Дата корректировки | 12:10:20 26 апреля 2025 г. |
| 10.21883/FTP.2020.02.48901.9111 | |
| Служба первич. каталог. | BY-HM0026 |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Александров, О. В. | |
|
Модель термополевой нестабильности p-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора Электронный ресурс |
|
| Model of negative bias temperature instability of p-MOS-transistors | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 32 назв. |
| Аннотация | Разработана новая количественная модель термополевой нестабильности p-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора. В основе модели лежит реакция депассивации поверхностных состояний на межфазной границе Si-SiO[2] и водородосодержащих дырочных ловушек вблизи межфазной границы Si-SiO[2] положительно заряженными ионами водорода H{+}, накапливающимися в p{+}-инверсном слое кремниевой подложки. Зависимости поверхностного и объемного зарядов в p-МОП-транзисторах от времени отрицательной термополевой нестабильности определяются кинетикой диффузии и дрейфа ионов H{+} из кремниевой подложки к межфазной границе Si-SiO[2]. Влияние напряжения затвора на отрицательную термополевую нестабильность объясняется посредством влияния напряженности электрического поля на коэффициент сегрегации ионов H{+} на межфазной границе Si-SiO{2}. Релаксация положительного объемного заряда, введенного в подзатворный диэлектрик при отрицательной термополевой нестабильности, описывается туннельной разрядкой оксидных ловушек электронами кремниевой подложки. |
| Ключевые слова | МОП-транзисторы |
|
термополевая нестабильность поверхностные состояния оксидные ловушки моделирование отрицательное смещение затвора кремниевые подложки |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 2. - С. 181-188 |
|
| Имя макрообъекта | Александров_модель |
| Тип документа | b |
