| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675524927 |
| Дата корректировки | 12:10:19 26 апреля 2025 г. |
| 10.21883/FTP.2020.02.48902.9195 | |
| Служба первич. каталог. | BY-HM0026 |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Александров, О. В. | |
|
Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур Электронный ресурс |
|
| Model of influence of gate bias on MOS-structures at ionizing radiation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Разработана новая количественная модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении на пороговое напряжение МОП-структур, базирующаяся на учете захвата дырок со всего объема подзатворного диэлектрика в тонком пограничном слое с безводородными и водородосодержащими ловушками на границе с кремниевой подложкой. Модель позволяет удовлетворительно описать плавный рост порогового напряжения с напряжением смещения на затворе - примерно линейный от дозы для поверхностной составляющей и нелинейный для объемной составляющей. Сдвиг порогового напряжения при отрицательном напряжении на затворе моделируется на основе учета генерации дырок в пограничном слое под действием ионизирующего облучения. |
| Ключевые слова | ионизирующее облучение |
|
МОП-структуры оксидные ловушки поверхностные состояния моделирование кремниевые подложки |
|
| Мокрушина, С. А. | |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 2. - С. 189-194 |
|
| Имя макрообъекта | Александров_модель влияния |
| Тип документа | b |
