Поиск

Модуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях

Авторы: Балагула, Р. М. Воробьёв, Л. Е. Винниченко, М. Я. Махов, И. C. Фирсов, Д. А. Воробьев, Л. Е.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Модуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях
Электронный ресурс
Аннотация Представлены результаты исследования влияния продольного электрического поля на спектры поглощения излучения среднего инфракрасного диапазона и на спектры межзонной фотолюминесценции в двойных туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Полученные результаты объясняются перераспределением горячих электронов между ямами и изменением объемного заряда в структуре. Из анализа спектров модуляции межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в сильных продольных электрических полях определена температура горячих носителей заряда.
Ключевые слова межподзонное поглощение света
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 11. - С. 1445-1450
Имя макрообъекта Балагула_модуляция