Поиск

Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 <= T <= +85°C)

Авторы: Андреев, В. М. Малевский, Д. А. Покровский, П. В. Румянцев, В. Д. Чекалин, А. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/674911502
Дата корректировки 12:07:17 26 апреля 2025 г.
Служба первич. каталог. BY-HM0026
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Андреев, В. М.
Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 <= T <= +85°C)
Электронный ресурс
Photoelectric parameters of triple-junction InGaP/InGaAs/Ge solar cells in wide temperature range (-197 <= T <= +85°C)
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 16 назв.
Аннотация Цельюн астоящей работы является исследование основных фотоэлектрических характеристик трех- каскадных фотоэлектрических преобразователей InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 <= T <= +85°C). Благодаря анализу спектров фоточувствительности и световых вольт-амперных характеристик определены зависимости от температуры таких величин, как напряжение холостого хода (V[oc]), фактор заполнения вольт-амперной характеристики (FF) и эффективность фотоэлектрического преобразования солнечного излучения. Исследования проводились при интенсивностях засветки, соответствующих работе при концентрированном облучении. Пониженные температуры способствовали отбору образцов с минимальными "паразитными" потенциальными барьерами. Оценено влияние процессов переноса возбуждения из каскада в каскад с помощьюв торичного люминесцентного излучения. Наивысшая эффективность фотоэлектрического преобразования 52% была измерена при кратности концентрирования 100 "солнц" и температуре -160°C.
Ключевые слова трехпереходные солнечные элементы
трехкаскадные фотоэлектрические преобразователи
фотоэлектрическое преобразование
люминесцентное излучение
фосфид индия-галлия
арсенид индия-галлия
германий
Малевский, Д. А.
Покровский, П. В.
Румянцев, В. Д.
Чекалин, А. В.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 10. - С. 1374-1379
Имя макрообъекта Андреев_основные
Тип документа b