| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Гетеропереходные низкобарьерные GаAs-диоды с улучшенной обратной вольт-амперной характеристикой Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Предложена и реализована конструкция полупроводниковой эпитаксиальной гетероструктуры низкобарьерного диода, позволяющая существенно снизить плотность обратного тока диода без ухудшения его остальных важнейших параметров. Улучшение параметров обратной ветви вольт-амперной характеристики достигнуто за счет введения в гомоструктуру гетеропереходов, что позволило сформировать близкий к оптимальному потенциальный рельефв объеме полупроводника. Приведены результаты теоретических расчетов с использованием TCAD Synopsys, а также сравнительные экспериментальные вольт-амперные характеристики диодов, изготовленных на основе гомо- и гетероструктур. Существенное снижение обратного тока показано на примере диодов с высотой барьера 0.2 и 0.17 В. |
| Ключевые слова | арсенид галлия |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 8. - С. 1123-1127 |
| Имя макрообъекта | Юнусов_гетеропереходные |
