| Индекс УДК | 535.33 |
|
Optical characterization of native defects in 4h-sic irradiated by 10 mev electrons with subsequent annealing Y. Zhang, K. Wang, H. Wang [et al.] |
|
| Аннотация | Для исследования дефектов кристаллов 4H-SiC использована низкотемпературная фотолюминесценция после облучения высокоэнергетическими электронами. Изучены характеристики отжига и зависимость температуры детектирования от доз облучения. Результаты показывают, что в облученном электронами кристалле 4H-SiC доминирует эмиссия, связанная с дефектами углеродная антиструктура-вакансия (V[C]C[Si]) {+}. С повышением температуры детектирования излучение уменьшается и сдвигается в красную область, а полная ширина на полувысоте увеличивается, что связано с повышением концентрации носителей в результате термической активации при высокой температуре. Интенсивность излучения максимальна при дозе облучения 7. 9 * 10{18} эл/см{2}, затем она уменьшается. Это свидетельствует о повреждении решетки, вызванном длительным высокоэнергетическим облучением, что уменьшает интенсивность радиационного дефекта в спектре. |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 87, № 6. - С. 891-896 |
