| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669813081 |
| Дата корректировки | 11:18:51 23 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.382.323 |
| Попов, В. Г. | |
|
Полевой транзистор с двумерными системами носителей в затворе и канале Электронный ресурс |
|
| Field effect transistor with two-dimensional gate and channel | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Рассмотрено применение эффекта резонансного туннелирования носителей в транзисторах. Показано, что использование резонансного характера туннелирования позволяет снизить токи утечки, которые являются одной из основных причин кризиса в развитии транзисторов на сегодняшний день. В работе предложен новый тип полевых транзисторов с затвором и каналом на основе двумерных систем носителей. Рассмотрены перспективы дальнейшей миниатюризации транзисторов. Для транзисторов с резонансным туннелированием чрезмерная миниатюризация подавляет резонансное туннелирование носителей и, таким образом, увеличивает токи утечки. |
| Ключевые слова | полевые транзисторы |
|
транзисторы резонансное туннелирование затворы молекулярно-пучковая эпитаксия полупроводниковые материалы двумерные системы носителей |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 236-240 |
| Имя макрообъекта | Попов_полевой |
| Тип документа | b |
