| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/668164977 |
| Дата корректировки | 8:23:49 1 декабря 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Кукушкин, С. А. | |
|
Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты пироэлектрических и пьезоэлектрических исследований пленок AlN, сформированных методами хлорид-гидридной эпитаксии (ХГЭ) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на выращенных методом замещения атомов эпитаксиальных нанослоях SiC на Si. Исследовалась топография поверхности, пьезоэлектрический и пироэлектрический отклики пленок AlN. Результаты исследования показали, что вертикальная составляющая пьезоотклика в пленках AlN, выращенных методом ХГЭ, более однородная по площади пленки, чем в пленках AlN, выращенных методом МЛЭ. Однако сама величина сигнала у пленки AlN, синтезированной МЛЭ, оказалась выше. Экспериментально обнаружен эффект инверсии полярной оси (вектора поляризации) при переходе от пленок AlN, выращенных методом МЛЭ, к пленкам, выращенным методом ХГЭ. Показано, что полярная ось в пленках, выращенных методом МЛЭ, направлена от свободной поверхности пленки к подложке Si, тогда как в пленках, выращенных методом ХГЭ, вектор поляризации, напротив, направлен к поверхности образца. |
|
пленки тонкие пленки пленки AlN пленки нитрида алюминия пироэлектрические исследования пленок пьезоэлектрические исследования пленок |
|
| Другие авторы | Осипов, А. В. |
|
Сергеева, О. Н. Киселев, Д. А. Богомолов, А. А. Солнышкин, А. В. Каптелов, Е. Ю. Сенкевич, С. В. Пронин, И. П. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 5. - С. 937-940 |
| Имя макрообъекта | Кукушкин_пироэлектрический |
| Тип документа | b |
