Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Модель накопления зарядов в n- и p-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора
  Александров, О. В., Мокрушина, С. А.
  
  Модель накопления зарядов в n- и p-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 637-642 Александров_модель
• Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур
  Александров, О. В., Мокрушина, С. А.
  
  Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 189-194 Александров_модель влияния