-
Брэгговская“ решетка заселенности электронов, наводимая в гетероструктуре Al[x]Ga[1-x]As-GaAs-Al[x]Ga[1-x]As ее собственным стимулированным пикосекундным излучением
Агеева, Н. Н., Броневой, И. Л., Забегаев, Д. Н., Кривоносов, А. Н.
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 10. - С. 1018-1028 .-
Агеева_”брэгговская
-
Антикорреляция интенсивности стимулированного пикосекундного излучения GaAs и характерного времени остывания носителей заряда
Агеева, Н. Н., Броневой, И. Л., Забегаев, Д. Н., Кривоносов, А. Н.
Антикорреляция интенсивности стимулированного пикосекундного излучения GaAs и характерного времени остывания носителей заряда, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 1. - С. 25-30
Агеева_автосинхронизация
-
Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда
Агеева, Н. Н., Броневой, И. Л., Забегаев, Д. Н., Кривоносов, А. Н.
Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 594-599
Агеева_пикосекундная
-
Автосинхронизация модуляции заселенности энергетических уровней электронами, создаваемой пикосекундными импульсами зондирующего и собственного стимулированного излучений в GaAs
Агеева, Н. Н., Броневой, И. Л., Забегаев, Д. Н., Кривоносов, А. Н.
Автосинхронизация модуляции заселенности энергетических уровней электронами, создаваемой пикосекундными импульсами зондирующего и собственного стимулированного излучений в GaAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1333-1342 .-
Агеева_автосинхронизация
