Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
Есин, М. Ю., Никифоров, А. И., Тимофеев, В. А., Туктамышев, А. Р., Машанов, В. И., Лошкарев, И. Д., Дерябин, А. С., Пчеляков, О. П.
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 3. - С. 409-413 .-
Есин_формирование
