Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Бушуйкин, П. А., Новиков, А. В., Андреев, Б. А., Лобанов, Д. Н., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Красильникова, Л. В. , Демидов, Е. В., Савченко, Г. М., Давыдов, В. Ю.
Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1594-1598
Бушуйкин_особенности
