Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения
Комков, О. С., Хахулин, С. А., Фирсов, Д. Д., Авдиенко, П. С., Седова, И. В., Сорокин, С. В.
Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 10. - С. 1011-1017 .-
Комков_исследование
