-
Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO[2]: подбор параметров эмпирического метода сильной связи
Белолипецкий, А. В., Нестоклон, М. О., Яссиевич, И. Н.
Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO[2]: подбор параметров эмпирического метода сильной связи, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1145-1149
Белолипецкий_моделирование
-
Моделирование методом сильной связи кремниевых и германиевых нанокристаллов
Герт, А. В., Нестоклон, М. О., Прокофьев, А. А., Яссиевич, И. Н.
Моделирование методом сильной связи кремниевых и германиевых нанокристаллов, [Текст], обзор
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 10. - С. 1325-1340
Герт_моделирование
-
Квантовые точки ”ядро–оболочка“ Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
Сресели, О. М. , Лихачёв, А. И., Неведомский, В. Н., Лихачев, А. И., Яссиевич, И. Н., Ершов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Андреев, Б. А., Яблонский, А. Н.
цв. ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 2. - С. 129-137 .-
Сресели_квантовые
